IT之家 7 月 20 日音讯38ab，来自好意思国麻省理工学院、加拿大渥太华大学等机构的科学家，应用一种名为三元碲铋矿（ternary tetradymite）的晶体材料研制出一种新式超薄晶体薄膜半导体。
据先容38ab，这种“薄膜”厚度仅 100 纳米，其中电子的转移速率约为传统半导体的 7 倍从而创下新记载。这一效果有助科学家研发出新式高效电子树立。商酌论文仍是发表于《当天材料物理学》杂志（IT之家附 DOI:10.1016/j.mtphys.2024.101486）。
据先容，这种“薄膜”主如果通过“分子束外延时期”笼统抵制分子束并“逐一原子”构建而来的材料。这种工艺不错制造出果然莫得劣势的材料，从而竣事更高的电子转移率（即电子在电场作用下穿过材料的难易进度）。
简便来说，当科学家向“薄膜”施加电流时，他们记录到了电子以 10000 cm²/V-s 的速率发生移动。比拟之下，电子在“硅半导体”中的移动速率约为 1400 cm²/V-s，而在传统铜线中则要更慢。
这种超高的电子转移率意味着更好的导电性。这反过来又为更高效、更强盛的电子树立铺平了说念路，这些树立产生的热量更少，浪掷的能量更少。
扣问东说念主员将这种“薄膜”的特质比方成“不会堵车的高速公路”，他们暗意这种材料“关于更高效、更省电的电子树立至关迫切，不错用更少的电力完成更多的使命”。
科学家们暗意，潜在的应用包括将“废热”调养成电能的可穿着式热电树立，以及应用电子自旋而不是电荷来管理信息的“自旋电子”树立。
在线看a片科学家们通过将“薄膜”置于极寒磁场环境中来测量材料中的电子转移率，然后通过对薄膜通电测量“量子回荡”。虽然，这种材料即使只消细微的劣势也会影响电子转移率，因此科学家们但愿通过窜改薄膜的制备工艺来获得更好的收尾。
麻省理工学院物理学家 Jagadeesh Moodera暗意：“这标明38ab，只消纰漏顺应抵制这些复杂系统，咱们就不错竣事弘远卓绝。咱们正朝着正确的方上前进，咱们将进一步扣问、约束窜改这种材料，但愿使其变得更薄，并用于改日的自旋电子学和可穿着式热电树立。”